QH12TZ600Q

Производитель-деталь №
QH12TZ600Q
Производитель
Power Integrations
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
QH12TZ600Q
Описание
AEC-Q101 600V 12A H SERIES
lang_0071
500

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Power Integrations
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
34pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
12A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
250 µA @ 600 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
11.6 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
3.1 V @ 12 A
lang_0258
QH12TZ600Q

Продукты, связанные с производителем

  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3679C
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR TNY288PG
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR LNK3294
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3673C
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3268C

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
QH12BZ600 Power Integrations 35,000 DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
QH12TZ600 Power Integrations 49 DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC