P6D12002E2
- Производитель-деталь №
- P6D12002E2
- Производитель
- PN Junction Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- P6D12002E2
- Описание
- DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
- lang_0071
- 1000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- PN Junction Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 8A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 650 V
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- -
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-252-2
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 0 ns
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-252-2
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- -
- lang_0258
- P6D12002E2
