WND10P08YQ

Производитель-деталь №
WND10P08YQ
Производитель
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
WND10P08YQ
Описание
STANDARD REVERSE RECOVERY POWER
lang_0071
6000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
10A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
10 µA @ 800 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
150°C
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
IITO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.3 V @ 10 A
lang_0258
WND10P08YQ

Продукты, связанные с производителем

  • WeEn Semiconductors Co., Ltd
    THE ESDALD05UD4 IS DESIGNED TO P
  • WeEn Semiconductors Co., Ltd
    THE ESDHD05UF IS DESIGNED TO PRO
  • WeEn Semiconductors Co., Ltd
    ESDUD05BF IS AN ULTRA-LOW CAPACI
  • WeEn Semiconductors Co., Ltd
    THE ESDALD05UE2 IS A LOW CAPACIT
  • WeEn Semiconductors Co., Ltd
    THE ESDALD05UG4 IS A LOW CAPACIT

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
WND100FET Ohmite 35,000 RES 100 OHM 1% 3W AXIAL
WND10P08XQ WeEn Semiconductors Co., Ltd 3,310 STANDARD POWER DIODE
WND10RFET Ohmite 5,802 RES 10 OHM 1% 3W AXIAL
WND15RFET Ohmite 35,000 RES 15 OHM 1% 3W AXIAL
WND1K0FET Ohmite 35,000 RES 1K OHM 1% 3W AXIAL
WND1R0FET Ohmite 4,951 RES 1 OHM 1% 3W AXIAL