GI756-E3/73

Производитель-деталь №
GI756-E3/73
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
GI756-E3/73
Описание
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
lang_0071
3690

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
6A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-50°C ~ 150°C
Package / Case :
P600, Axial
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5 µs
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
P600
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
900 mV @ 6 A
lang_0258
GI756-E3/73

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
GI750-E3/54 Vishay 2,386 DIODE GEN PURP 50V 6A P600
GI750-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 50V 6A P600
GI751 NTE Electronics, Inc. 1,230 R- 100 PRV 6A
GI751-E3/54 Vishay 3,137 DIODE GEN PURP 100V 6A P600
GI751-E3/73 Vishay 2,712 DIODE GEN PURP 100V 6A P600
GI752 NTE Electronics, Inc. 330 R- 200 PRV 6A
GI752-E3/54 Vishay 2,850 DIODE GEN PURP 200V 6A P600
GI752-E3/73 Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 200V 6A P600
GI754 NTE Electronics, Inc. 34 R- 400 PRV 6A
GI754-E3/54 Vishay 1,494 DIODE GEN PURP 400V 6A P600
GI754-E3/73 Vishay 5,891 DIODE GEN PURP 400V 6A P600
GI756 NTE Electronics, Inc. 1,622 R- 600 PRV 6A
GI756-E3/54 Vishay 380 DIODE GEN PURP 600V 6A P600
GI758 NTE Electronics, Inc. 34 R- 800 PRV 6A
GI758-E3/54 Vishay 7,082 DIODE GEN PURP 800V 6A P600