JDH2S02FSTPL3

Производитель-деталь №
JDH2S02FSTPL3
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
JDH2S02FSTPL3
Описание
RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
lang_0071
1953

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - RF
Capacitance @ Vr, F :
0.3pF @ 0.2V, 1MHz
Current - Max :
10 mA
Diode Type :
Schottky - Single
Operating Temperature :
125°C (TJ)
Package / Case :
2-SMD, Flat Lead
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Resistance @ If, F :
-
Supplier Device Package :
fSC
Voltage - Peak Reverse (Max) :
10V
lang_0258
JDH2S02FSTPL3

Продукты, связанные с производителем

  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    TVS DIODE 3.5VWM SOD923
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    TVS DIODE 5VWM 9VC SOD923
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    TVS DIODE 12VWM SOD923

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
JDH2S01FSTPL3 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 35,000 RF DIODE SCHOTTKY 4V FSC
JDH2S02SL,L3F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 35,000 X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR