MSAT-P25

Производитель-деталь №
MSAT-P25
Производитель
MACOM Technology Solutions
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
MSAT-P25
Описание
ATTENUATOR,PIN DIODE,2012
lang_0071
3251

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
MACOM Technology Solutions
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - RF
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Max :
200 mA
Diode Type :
PIN - Single
Operating Temperature :
175°C (TJ)
Package / Case :
0805 (2012 Metric)
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Resistance @ If, F :
3kOhm @ 10µA, 500MHz
Supplier Device Package :
2012
Voltage - Peak Reverse (Max) :
200V
lang_0258
MSAT-P25

Продукты, связанные с производителем

  • MACOM Technology Solutions
    CAP SILICON 20PF 20% 50V SMD
  • MACOM Technology Solutions
    CAP SILICON 1.5PF 10% SMD
  • MACOM Technology Solutions
    CAP SILICON 100PF 20% SMD
  • MACOM Technology Solutions
    CAP SILICON 10PF 20% 50V SMD
  • MACOM Technology Solutions
    CAP SILICON 1PF 20% 50V SMD

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
MSAT-N25 MACOM Technology Solutions 70 DIODE,NIP ATTENUATOR DIODE-PACKA
MSATS14S24L Microchip Technology 35,000 UNI-DIRECTIONAL TVS
MSATS14S24L/TR Microchip Technology 35,000 UNI-DIRECTIONAL TVS
MSATS14S40L Microchip Technology 35,000 TVS DIODE 36VWM 58VC THINKEY3
MSATS14S40L/TR Microchip Technology 35,000 TVS DIODE 36VWM 58VC THINKEY3
MSATS14S40LS Microchip Technology 35,000 UNI-DIRECTIONAL TVS
MSATS14S40LS/TR Microchip Technology 35,000 UNI-DIRECTIONAL TVS
MSATS14S40LV Microchip Technology 35,000 TVS DIODE 36VWM 58VC THINKEY3
MSATS14S40LV/TR Microchip Technology 35,000 TVS DIODE 36VWM 58VC THINKEY3