GBL10

Производитель-деталь №
GBL10
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
GBL10
Описание
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
lang_0071
115

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Taiwan Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Bridge Rectifiers
Current - Average Rectified (Io) :
4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 1000 V
Diode Type :
Single Phase
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
4-SIP, GBL
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
GBL
Technology :
Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1 V @ 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max) :
1 kV
lang_0258
GBL10

Продукты, связанные с производителем

  • Taiwan Semiconductor
    TVS DIODE 5VWM 15VC SOT26
  • Taiwan Semiconductor
    TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA
  • Taiwan Semiconductor
    TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AA
  • Taiwan Semiconductor
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
  • Taiwan Semiconductor
    TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA

Продукты, связанные с каталогом

  • Diodes Incorporated
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MBS
  • Micro Commercial Components (MCC)
    BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBS-1
  • Micro Commercial Components (MCC)
    BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS-1
  • Micro Commercial Components (MCC)
    BRIDGE RECT 1P 100V 500MA MBS-1
  • Bourns, Inc.
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
GBL10 SURGE 230 4A -1000V - GBL - BRIDGE
GBL10 GeneSiC Semiconductor 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10-E3/45 Vishay 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
GBL10-E3/51 Vishay 1,200 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
GBL10-M3/45 Vishay 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10-M3/51 Vishay 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
GBL10H Taiwan Semiconductor 35,000 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL