GC1100013
- Производитель-деталь №
- GC1100013
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- GC1100013
- Описание
- CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Diodes Incorporated
- Категория товара :
- Crystals, Oscillators, Resonators > Crystals
- ESR (Equivalent Series Resistance) :
- -
- Frequency :
- -
- Frequency Stability :
- -
- Frequency Tolerance :
- -
- Height - Seated (Max) :
- -
- Load Capacitance :
- -
- Mounting Type :
- -
- Operating Mode :
- Fundamental
- Operating Temperature :
- -
- Package / Case :
- -
- Product Status :
- Active
- Ratings :
- -
- Size / Dimension :
- -
- Type :
- MHz Crystal
- lang_0258
- GC1100013
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
GC1100003 | Diodes Incorporated | 35,000 | CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K |
GC1100010 | Diodes Incorporated | 35,000 | CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K |
GC1100011 | Diodes Incorporated | 35,000 | CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K |
GC1100021 | Diodes Incorporated | 35,000 | CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K |
GC1115EVM | Texas Instruments | 35,000 | EVAL DAUGHTERBOARD-GC101 |
GC1115IZDJ | Texas Instruments | 35,000 | IC WIDEBAND CFR PROCESSOR 256BGA |
GC1115SEK | Texas Instruments | 35,000 | EVAL KIT FOR GC1115 |
GC11N65F | Goford Semiconductor | 45 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
GC11N65K | Goford Semiconductor | 2,490 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
GC11N65M | Goford Semiconductor | 790 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |
GC11N65T | Goford Semiconductor | 98 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 |