Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Drain to Source Voltage (Vdss):
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Power Dissipation (Max):
Supplier Device Package:
Vgs(th) (Max) @ Id:
Изображение Деталь Производитель Описание Stock Действие
NTE455 NTE Electronics, Inc.
MOSFET-DUAL GATE...
RFQ
223
In-stock
Получить предложение
NTE2946 NTE Electronics, Inc.
MOSFET-PWR N-CHAN...
RFQ
362
In-stock
Получить предложение
NTE454 NTE Electronics, Inc.
MOSFET-DUAL GATE...
RFQ
79
In-stock
Получить предложение
NTE464 NTE Electronics, Inc.
MOSFET-P CHANNEL...
RFQ
45
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 4 Records