Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
Power Dissipation (Max):
Supplier Device Package:
Изображение Деталь Производитель Описание Stock Действие
SCT2750NYTB ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1700V 5....
RFQ
1,548
In-stock
Получить предложение
SCT2H12NYTB ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1700V 4A...
RFQ
35,000
In-stock
Получить предложение
SCT2H12NZGC11 ROHM Semiconductor
SICFET N-CH 1700V 3....
RFQ
35,000
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 3 Records