Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
Power - Max:
Resistor - Base (R1):
Resistor - Emitter Base (R2):
Supplier Device Package:
Изображение Деталь Производитель Описание Stock Действие
FA4L4L-T1B-A Renesas Electronics Corporation
FA4L - BUILT-IN RE...
RFQ
348,000
In-stock
Получить предложение
GA4F3M(0)-T1-A Renesas Electronics Corporation
GA4F3M - BUILT-IN R...
RFQ
63,000
In-stock
Получить предложение
GA1A4Z-T1-A Renesas Electronics Corporation
GA1A4Z - SWITCHING...
RFQ
11,455
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 3 Records